新電子 Micro-Electronics 12月號/2020 第417期

產業鏈上下游全員動起來　寬能隙功率元件市場起飛

化合物半導體種類繁多，但近年來話題最熱的，仍屬與功率相關的氮化鎵(GaN)與碳化矽兩種寬能隙半導體材料。這兩種材料本身也有很多變形，例如GaN on Si、GaN on Sapphire、GaN on SiC、SiC on Diamond等，但其中仍以用來製造電源元件的GaN on Si與SiC最受關注，其他材料組合則是以高功率射頻(RF)應用為主。

由於電源是所有電子設備都不可或缺的要素，且在電氣化的發展趨勢下，許多原本不是由電力驅動的應用，例如各式各樣的交通載具，也都改用電力來驅動。因此，電源技術的進展，不僅有助於提高現有的電子應用產品的能源效率，更可為電子技術開創出新的應用。這也是碳化矽、氮化鎵功率元件，會比射頻應用受到更多關注的原因。

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