CHAPTER 1 半導體製程概論
1.1 什麼是「半導體」
 1.1.1 從電流的角度看半導體
 1.1.2 「摻雜（Doping）」使絕緣材料變成導電材料
 1.1.3 四個表徵半導體的常數
 1.1.4 半導體的定義
 1.1.5 半導體分類
 1.1.6 半導體材料的迭代發展
 1.1.7 相關名詞的聯繫與區別
1.2 半導體製程分段概述
 1.2.1 前段製程概要
 1.2.2 後段製程概要

CHAPTER 2 前段製程
2.1 晶圓氧化（Oxidating）
 2.1.1 氧化的過程與目的
 2.1.2 熱氧化工藝的類別
 2.1.3 三個熱氧化隔離技術
 2.1.4 氧化裝置
2.2 晶圓清洗
 2.2.1 各種汙染物的來源和相對的影響
 2.2.2 晶圓清洗的目的及步驟
 2.2.3 去除顆粒和汙染物的機理
 2.2.4 常用的晶圓清洗方法
 2.2.5 新興的清洗技術
2.3 晶圓加工
 2.3.1 矽提純
 2.3.2 鑄錠（Ingot）
 2.3.3 錠切割成薄晶圓（Wafer Slicing）
 2.3.4 晶圓表面拋光
2.4 微影（Photolithography）─ 四大製程1
 2.4.1 光阻劑（Photoresist）
 2.4.2 物鏡的分辨能力（鑑別率）
 2.4.3 光阻塗佈（Photoresist Coating）
 2.4.4 曝光（Esposure）
 2.4.5 曝光後烘烤（PEB）
 2.4.6 對準（Alignment）
 2.4.7 顯影
 2.4.8 硬烤（Hard Bake）
 2.4.9 光阻劑的剝離與灰化
2.5 摻雜（Doping） ─ 四大製程2
 2.5.1 高溫熱擴散技術
 2.5.2 離子植入（Ion Implant）
 2.5.3 四個主流的摻雜技術
2.6 蝕刻（Etching） ─ 四大製程3
 2.6.1 蝕刻工藝過程
 2.6.2 蝕刻工藝的重要參數
 2.6.3 蝕刻的發展變化
 2.6.4 濕式蝕刻（Wet Etching）
 2.6.5 乾式蝕刻（Dry Etching）
 2.6.6 蝕刻氣體與附加氣體
 2.6.7 多種蝕刻工藝
2.7 乾燥（晶圓處理後的水洗、乾燥）
2.8 沉積（Deposition） ─ 四大製程4
 2.8.1 化學氣相沉積（CVD）
 2.8.2 熱絲化學氣相沉積（Cat-CVD）
 2.8.3 原子層沉積（ALD）
 2.8.4 物理氣相沉積（PVD）
 2.8.5 外延工藝
 2.8.6 影響沉積的因素
2.9 快速熱處理（RTP）
 2.9.1 快速熱處理的工藝原理
 2.9.2 快速熱退火（RTA）
 2.9.3 幾種主要的退火方式的比較
2.10 前段製程中的重要製程實操

CHAPTER 3 後段製程
3.1 測試
 3.1.1 測試種類
 3.1.2 晶圓測試內容
3.2 封裝 ─ 概念、工藝等級
 3.2.1 半導體封裝的概念及作用
 3.2.2 半導體封裝工藝等級發展
 3.2.3 傳統封裝
 3.2.4 晶圓級封裝（WLP）類型
3.3 封裝 ─ 背面研磨與晶圓貼膜
 3.3.1 背面研磨（Back Grinding）
 3.3.2 保護晶圓的貼膜（Tape Lamination）工藝
3.4 封裝 ─ 晶圓切割
 3.4.1 晶圓切割過程
 3.4.2 晶圓切割機
 3.4.3 晶圓切割分類
 3.4.4 晶圓切割工藝的選擇
 3.4.5 晶圓切割關鍵工藝參數
3.5 封裝 ─ 互連和植球
 3.5.1 凸點互連
 3.5.2 植球
3.6 封裝 ─ 內部封裝與外部封裝
 3.6.1 半導體內部封裝類型（鍵合）
 3.6.2 半導體外部封裝類型和貼裝方法
3.7 封裝 ─ 模塑
 3.7.1 密封法（Hermetic）
 3.7.2 模塑法（Molding）
3.8 封裝 ─ 組裝前和出貨前的檢查
 3.8.1 組裝前晶圓檢查工程所使用的裝置範例
 3.8.2 預燒（IC 產品出貨前的封裝產品檢查製程預燒）
3.9 封裝 ─ 半導體封裝的發展趨勢
3.10 後段製程主要裝置
 3.10.1 球柵網格陣列封裝（BGA）封裝端子加工
 3.10.2 無接線鍵合中代表性的製造工藝

CHAPTER 4 後段製程半導體行業發展趨勢
4.1 半導體行業發展現狀
4.2 半導體產業結構
4.3 原材料環節
 4.3.1 常見的半導體原材料應用
 4.3.2 半導體材料的發展趨勢
4.4 半導體設備環節
 4.4.1 晶圓製造設備
 4.4.2 封裝設備
 4.4.3 測試設備

CHAPTER5 後段製程半導體製程裝置清單及專業術語匯總
5.1 半導體製程裝置清單匯總
5.2 專業術語匯總asnd CHAPTER 1 半導體製程概論
1.1 什麼是「半導體」
 1.1.1 從電流的角度看半導體
 1.1.2 「摻雜（Doping）」使絕緣材料變成導電材料
 1.1.3 四個表徵半導體的常數
 1.1.4 半導體的定義
 1.1.5 半導體分類
 1.1.6 半導體材料的迭代發展
 1.1.7 相關名詞的聯繫與區別
1.2 半導體製程分段概述
 1.2.1 前段製程概要
 1.2.2 後段製程概要

CHAPTER 2 前段製程
2.1 晶圓氧化（Oxidating）
 2.1.1 氧化的過程與目的
 2.1.2 熱氧化工藝的類別
 2.1.3 三個熱氧化隔離技術
 2.1.4 氧化裝置
2.2 晶圓清洗
 2.2.1 各種汙染物的來源和相對的影響
 2.2.2 晶圓清洗的目的及步驟
 2.2.3 去除顆粒和汙染物的機理
 2.2.4 常用的晶圓清洗方法
 2.2.5 新興的清洗技術
2.3 晶圓加工
 2.3.1 矽提純
 2.3.2 鑄錠（Ingot）
 2.3.3 錠切割成薄晶圓（Wafer Slicing）
 2.3.4 晶圓表面拋光
2.4 微影（Photolithography）─ 四大製程1
 2.4.1 光阻劑（Photoresist）
 2.4.2 物鏡的分辨能力（鑑別率）
 2.4.3 光阻塗佈（Photoresist Coating）
 2.4.4 曝光（Esposure）
 2.4.5 曝光後烘烤（PEB）
 2.4.6 對準（Alignment）
 2.4.7 顯影
 2.4.8 硬烤（Hard Bake）
 2.4.9 光阻劑的剝離與灰化
2.5 摻雜（Doping） ─ 四大製程2
 2.5.1 高溫熱擴散技術
 2.5.2 離子植入（Ion Implant）
 2.5.3 四個主流的摻雜技術
2.6 蝕刻（Etching） ─ 四大製程3
 2.6.1 蝕刻工藝過程
 2.6.2 蝕刻工藝的重要參數
 2.6.3 蝕刻的發展變化
 2.6.4 濕式蝕刻（Wet Etching）
 2.6.5 乾式蝕刻（Dry Etching）
 2.6.6 蝕刻氣體與附加氣體
 2.6.7 多種蝕刻工藝
2.7 乾燥（晶圓處理後的水洗、乾燥）
2.8 沉積（Deposition） ─ 四大製程4
 2.8.1 化學氣相沉積（CVD）
 2.8.2 熱絲化學氣相沉積（Cat-CVD）
 2.8.3 原子層沉積（ALD）
 2.8.4 物理氣相沉積（PVD）
 2.8.5 外延工藝
 2.8.6 影響沉積的因素
2.9 快速熱處理（RTP）
 2.9.1 快速熱處理的工藝原理
 2.9.2 快速熱退火（RTA）
 2.9.3 幾種主要的退火方式的比較
2.10 前段製程中的重要製程實操

CHAPTER 3 後段製程
3.1 測試
 3.1.1 測試種類
 3.1.2 晶圓測試內容
3.2 封裝 ─ 概念、工藝等級
 3.2.1 半導體封裝的概念及作用
 3.2.2 半導體封裝工藝等級發展
 3.2.3 傳統封裝
 3.2.4 晶圓級封裝（WLP）類型
3.3 封裝 ─ 背面研磨與晶圓貼膜
 3.3.1 背面研磨（Back Grinding）
 3.3.2 保護晶圓的貼膜（Tape Lamination）工藝
3.4 封裝 ─ 晶圓切割
 3.4.1 晶圓切割過程
 3.4.2 晶圓切割機
 3.4.3 晶圓切割分類
 3.4.4 晶圓切割工藝的選擇
 3.4.5 晶圓切割關鍵工藝參數
3.5 封裝 ─ 互連和植球
 3.5.1 凸點互連
 3.5.2 植球
3.6 封裝 ─ 內部封裝與外部封裝
 3.6.1 半導體內部封裝類型（鍵合）
 3.6.2 半導體外部封裝類型和貼裝方法
3.7 封裝 ─ 模塑
 3.7.1 密封法（Hermetic）
 3.7.2 模塑法（Molding）
3.8 封裝 ─ 組裝前和出貨前的檢查
 3.8.1 組裝前晶圓檢查工程所使用的裝置範例
 3.8.2 預燒（IC 產品出貨前的封裝產品檢查製程預燒）
3.9 封裝 ─ 半導體封裝的發展趨勢
3.10 後段製程主要裝置
 3.10.1 球柵網格陣列封裝（BGA）封裝端子加工
 3.10.2 無接線鍵合中代表性的製造工藝

CHAPTER 4 後段製程半導體行業發展趨勢
4.1 半導體行業發展現狀
4.2 半導體產業結構
4.3 原材料環節
 4.3.1 常見的半導體原材料應用
 4.3.2 半導體材料的發展趨勢
4.4 半導體設備環節
 4.4.1 晶圓製造設備
 4.4.2 封裝設備
 4.4.3 測試設備

CHAPTER5 後段製程半導體製程裝置清單及專業術語匯總
5.1 半導體製程裝置清單匯總
5.2 專業術語匯總askw CHAPTER 1 半導體製程概論
1.1 什麼是「半導體」
 1.1.1 從電流的角度看半導體
 1.1.2 「摻雜（Doping）」使絕緣材料變成導電材料
 1.1.3 四個表徵半導體的常數
 1.1.4 半導體的定義
 1.1.5 半導體分類
 1.1.6 半導體材料的迭代發展
 1.1.7 相關名詞的聯繫與區別
1.2 半導體製程分段概述
 1.2.1 前段製程概要
 1.2.2 後段製程概要

CHAPTER 2 前段製程
2.1 晶圓氧化（Oxidating）
 2.1.1 氧化的過程與目的
 2.1.2 熱氧化工藝的類別
 2.1.3 三個熱氧化隔離技術
 2.1.4 氧化裝置
2.2 晶圓清洗
 2.2.1 各種汙染物的來源和相對的影響
 2.2.2 晶圓清洗的目的及步驟
 2.2.3 去除顆粒和汙染物的機理
 2.2.4 常用的晶圓清洗方法
 2.2.5 新興的清洗技術
2.3 晶圓加工
 2.3.1 矽提純
 2.3.2 鑄錠（Ingot）
 2.3.3 錠切割成薄晶圓（Wafer Slicing）
 2.3.4 晶圓表面拋光
2.4 微影（Photolithography）─ 四大製程1
 2.4.1 光阻劑（Photoresist）
 2.4.2 物鏡的分辨能力（鑑別率）
 2.4.3 光阻塗佈（Photoresist Coating）
 2.4.4 曝光（Esposure）
 2.4.5 曝光後烘烤（PEB）
 2.4.6 對準（Alignment）
 2.4.7 顯影
 2.4.8 硬烤（Hard Bake）
 2.4.9 光阻劑的剝離與灰化
2.5 摻雜（Doping） ─ 四大製程2
 2.5.1 高溫熱擴散技術
 2.5.2 離子植入（Ion Implant）
 2.5.3 四個主流的摻雜技術
2.6 蝕刻（Etching） ─ 四大製程3
 2.6.1 蝕刻工藝過程
 2.6.2 蝕刻工藝的重要參數
 2.6.3 蝕刻的發展變化
 2.6.4 濕式蝕刻（Wet Etching）
 2.6.5 乾式蝕刻（Dry Etching）
 2.6.6 蝕刻氣體與附加氣體
 2.6.7 多種蝕刻工藝
2.7 乾燥（晶圓處理後的水洗、乾燥）
2.8 沉積（Deposition） ─ 四大製程4
 2.8.1 化學氣相沉積（CVD）
 2.8.2 熱絲化學氣相沉積（Cat-CVD）
 2.8.3 原子層沉積（ALD）
 2.8.4 物理氣相沉積（PVD）
 2.8.5 外延工藝
 2.8.6 影響沉積的因素
2.9 快速熱處理（RTP）
 2.9.1 快速熱處理的工藝原理
 2.9.2 快速熱退火（RTA）
 2.9.3 幾種主要的退火方式的比較
2.10 前段製程中的重要製程實操

CHAPTER 3 後段製程
3.1 測試
 3.1.1 測試種類
 3.1.2 晶圓測試內容
3.2 封裝 ─ 概念、工藝等級
 3.2.1 半導體封裝的概念及作用
 3.2.2 半導體封裝工藝等級發展
 3.2.3 傳統封裝
 3.2.4 晶圓級封裝（WLP）類型
3.3 封裝 ─ 背面研磨與晶圓貼膜
 3.3.1 背面研磨（Back Grinding）
 3.3.2 保護晶圓的貼膜（Tape Lamination）工藝
3.4 封裝 ─ 晶圓切割
 3.4.1 晶圓切割過程
 3.4.2 晶圓切割機
 3.4.3 晶圓切割分類
 3.4.4 晶圓切割工藝的選擇
 3.4.5 晶圓切割關鍵工藝參數
3.5 封裝 ─ 互連和植球
 3.5.1 凸點互連
 3.5.2 植球
3.6 封裝 ─ 內部封裝與外部封裝
 3.6.1 半導體內部封裝類型（鍵合）
 3.6.2 半導體外部封裝類型和貼裝方法
3.7 封裝 ─ 模塑
 3.7.1 密封法（Hermetic）
 3.7.2 模塑法（Molding）
3.8 封裝 ─ 組裝前和出貨前的檢查
 3.8.1 組裝前晶圓檢查工程所使用的裝置範例
 3.8.2 預燒（IC 產品出貨前的封裝產品檢查製程預燒）
3.9 封裝 ─ 半導體封裝的發展趨勢
3.10 後段製程主要裝置
 3.10.1 球柵網格陣列封裝（BGA）封裝端子加工
 3.10.2 無接線鍵合中代表性的製造工藝

CHAPTER 4 後段製程半導體行業發展趨勢
4.1 半導體行業發展現狀
4.2 半導體產業結構
4.3 原材料環節
 4.3.1 常見的半導體原材料應用
 4.3.2 半導體材料的發展趨勢
4.4 半導體設備環節
 4.4.1 晶圓製造設備
 4.4.2 封裝設備
 4.4.3 測試設備

CHAPTER5 後段製程半導體製程裝置清單及專業術語匯總
5.1 半導體製程裝置清單匯總
5.2 專業術語匯總