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    5. 半導體製程概論

    半導體製程概論

    Author 李克駿、李克慧、李明逵
    Publisher CHWA /全華圖書股份有限公司
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    Released
    2023/08/15
    Language
    Traditional Chinese
    File format
    PDF (54MB), fit in large screen and Pubook
    Pages
    412
    ID
    384745
    ISBN
    9786263286733
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    Details

    半導體製程概論(第五版)

    Author 李克駿、李克慧、李明逵
    Publisher 全華圖書股份有限公司
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    Released
    2023/06/09
    Language
    Traditional Chinese
    Pages
    408
    ID
    518139
    ISBN
    9786263284579
    DRM
    NT$375
    紙本書
    NT$500
    Explanation
    eBook
    Printed book
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    • Intro

    全書分為五篇,第一篇(1~3章)探討半導體材料之基本特性,從矽半導體晶體結構開始,到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4~9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10~24章)說明積體電路的製程。第四篇(25~26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27~28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。
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    • Intro

    • Chapters

    全書分為五篇,第一篇(1~3章)探討半導體材料之基本特性,從矽半導體晶體結構開始,到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4~9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10~24章)說明積體電路的製程。第四篇(25~26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27~28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。
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    前言 半導體與積體電路之發展史
    0-1 半導體之緣起 (Semiconductor History)
    0-2 電晶體 (Transistor)
    0-3 積體電路 (Integrated Circuit)
    0-4 半導體製程 (Semiconductor Processes)

    第一篇 半導體材料與物理

    第1章 晶體結構與矽半導體物理特性
    1-1 原子模型與週期表 (Atomic Model and Periodic)
    1-2 晶體結構 (Crystal Structure)
    1-3 物質導電性 (Material Conductivity)
    1-4 本質矽,質量作用定律 (Intrinsic Silicon, Mass-action Law)
    1-5 摻雜質,負型和正型 (Dopant, n-type and p-type)

    第2章 半導體能帶與載子傳輸
    2-1 能帶 (Energy Band)
    2-2 電阻係數與薄片電阻 (Resistivity and Sheet Resistance)
    2-3 載子傳輸 (Carrier Transport)

    第3章 化合物半導體晶體結構與物理特性
    3-1 化合物半導體 (Compound Semiconductors)
    3-2 砷化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Arsenide)
    3-3 氮化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Nitride)
    3-4 碳化矽晶體結構與能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Silicon Carbide)
    3-5 摻雜質,負型和正型 (Dopant, n-type and p-type)
    3-6 砷化鎵、氮化鎵、碳化矽與矽比較 (Comparison of GaAs、GaN、SiC and Si)

    第二篇 半導體元件

    第4章 半導體基礎元件
    4-1 二極體 (Diode)
    4-2 雙載子電晶體 (Bipolar Transistor)
    4-3 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
    4-4 互補型金氧半場效電晶體 (CMOS,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    4-5 半導體記憶體 (Semiconductor Memory)
    4-6 電阻 (Resistor)
    4-7 電容 (Capacitor)
    4-8 電感 (Inductor)

    第5章 接面能帶圖與費米能階
    5-1 半導體狀態密度 (Density of States)
    5-2 純半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Intrinsic Semiconductor)
    5-3 摻雜半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Doped Semiconductors)
    5-4 接面能帶圖與費米能階 (Fermi Level and Junction Band Diagram)

    第6章 積體電路製程與佈局
    6-1 雙載子製程技術 (Bipolar Fabrication Technology)
    6-2 金氧半場效電晶體製程技術 (MOSFET Fabrication Technology)
    6-3 電路與積體電路 (Circuit and Integrated Circuit)
    6-4 設計原則 (Design Rules)
    6-5 佈局 (Layout)

    第7章 半導體元件縮小化與先進奈米元件
    7-1 金氧半場效電晶體之縮小化 (Scaling of MOSFET)
    7-2 短通道效應 (short-channel effects)
    7-3 SOI場效電晶體 (SOI-MOSFET)
    7-4 奈米鰭式場效電晶體 (FinFET)
    7-5 三維積體電路 (3 Dimensional IC)

    第8章 高速與高功率電晶體
    8-1 砷化鎵金半場效電晶體 (GaAs Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)
    8-2 砷化鎵高電子遷移率電晶體 (GaAs High Electron Mobility Transistor)
    8-3 氮化鎵高電子遷移率電晶體 (GaN High Electron Mobility Transistor)
    8-4 碳化矽金氧半場效電晶體 (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

    第9章 半導體光電元件
    9-1 發光二極體 (light emitting diode)
    9-2 有機發光二極體
    9-3 雷射二極體 (Laser Diode)
    9-4 光感測器 (Photodetector)
    9-5 太陽電池(Solar Cell)

    第三篇 積體電路製程與設備

    第10章 矽晶棒之生長
    10-1 原料配製 (Starting Materials)
    10-2 矽晶棒生長 (Silicon Ingot Growth)
    10-3 晶體生長時摻雜質之分佈 (Dopants Distribution in Crystal Growth)
    10-4 晶體缺陷(Crystal Defects)

    第11章 矽晶圓之製作
    11-1 晶體方向(Crystal Orientation)
    11-2 晶片方向、切割和拋光 (Orientation、Sawing and Polishing)
    11-3 十二吋晶圓效益分析(Benefit Analysis of 12 Inch wafer)

    第12章 化合物半導體晶棒生長
    12-1 砷化鎵晶棒生長 (Gallium Arsenide Ingot Growth)
    12-2 氮化鎵晶棒生長 (Gallium Nitride Ingot Growth)
    12-3 碳化矽晶棒生長 (Silicon Carbide Ingot Growth)

    第13章 矽磊晶生長
    13-1 磊晶膜(Epitaxial Layer)
    13-2 矽磊晶生長(Silicon Epiatxy)
    13-3 矽磊晶膜生長程序(Growth Process of Si Epitaxial Layer)

    第14章 矽磊晶系統
    14-1 矽磊晶系統(Si Epitaxy Systems)
    14-2 矽磊晶生長系統之評估(Evaluation of Epitaxial Systems)

    第15章 化合物半導體磊晶成長
    15-1 砷化鎵磊晶成長 (Gallium Arsenide Epitaxial Growth)
    15-2 氮化鎵磊晶生長 (Gallium Nitride Epitaxial Growth)
    15-3 碳化矽磊晶生長 (Silicon Carbide Epitaxial Growth)

    第16章 矽氧化膜生長
    16-1 熱氧化爐(Thermal Oxidation Furnace)
    16-2 矽氧化程序(Si Oxidation Process)
    16-3 乾濕氧化與膜厚(Dry and Wet Oxidation and Thickness)
    16-4 矽氧化膜厚度評估(Si Oxide Evaluation)
    16-5 熱氧化時摻雜原子之重行分佈 (Redistribution of Dopant Atoms During Thermal Oxidation)

    第17章 矽氧化膜生長機制
    17-1 二氧化矽與氧化(Silicon Dioxide and Oxidation)
    17-2 氧化機制(Oxidation Mechanism)
    17-3 超薄氧化層(Ultra-Thin Oxide)
    17-4 氧化膜品質評估(Oxide Quality Evaluation)
    17-5 氧化膜品質改進方法(Improvement of Oxide Quality)

    第18章 摻雜質之擴散植入
    18-1 擴散概念 (Concept of Diffusion)
    18-2 擴散過程 (Diffusion Process)
    18-3 擴散之分佈曲線 (Distribution of Diffusion)

    第19章 摻雜質之離子佈植
    19-1 離子佈植 (Ion Implantation)
    19-2 退火 (Annealing)
    19-3 離子佈植在CMOS積體電路製程上的應用 (Applications of Ion Implantation in CMOS IC Fabrication)
    19-4 離子佈植製程實務 (Practices of Ion Implantation)

    第20章 微影技術
    20-1 微影蝕刻術 (Lithography)
    20-2 光罩之製作 (Fabrication of Mask)
    20-3 光微影術 (Photolithography)
    20-4 解析增強微影術 (Resolution Enhancement Techniques)
    20-5 微影術之光源 (Photolithographic sources)

    第21章 蝕刻技術
    21-1 濕蝕刻 (Wet Etching)
    21-2 乾蝕刻 (Dry Etching)

    第22章 化學氣相沉積
    22-1 化學氣相沉積概念 (Introduction of CVD)
    22-2 化學氣相沉積流程 (CVD Procedures)
    22-3 低壓化學氣相沉積 (Low Pressure CVD - LPCVD)
    22-4 電漿化學氣相沉積 (Plasma CVD - PCVD)
    22-5 光照化學氣相沉積 (Photo-CVD)
    22-6 原子層沉積 (Atomic Layer Deposition)
    22-7 液相沉積法 (Liquid Phase Deposition)

    第23章 金屬接觸與沉積
    23-1 金屬化之要求 (Metallization Requirements)
    23-2 真空沉積 (Vacuum Deposition)
    23-3 沉積技術 (Deposition Techniques)
    23-4 真空沉積程序 (Vacuum Deposition Procedure)
    23-5 合金/退火 (Alloy/Annealing)
    23-6 金屬矽化物 (Silicide)
    23-7 銅製程技術 (Copper Processes)

    第24章 積體電路封裝
    24-1 積體電路封裝 (IC Package)
    24-2 封裝分類 (Package Classification)
    24-3 封裝流程 (Packaging Flow Chart)
    24-4 三維封裝 (3 Dimensional Package)

    第四篇 積體電路故障與檢測

    第25章 可靠度與功能性檢測
    25-1 可靠度基本概念 (Basic Idea of Reliability)
    25-2 可靠度檢測 (Reliability Testing)
    25-3 故障模型 (Failure Models)
    25-4 電磁干擾 (EMI)
    25-5 靜電效應 (ESD)
    25-6 電性可靠度檢測 (Electrical Reliability Testing)
    25-7 功能性檢測 (Function Testing)

    第26章 材料特性檢測
    26-1 表面形態分析儀器 (Surface Morphology Analysis Instruments)
    26-2 晶體結構分析儀器 (Crystal Structure Analysis Instruments)
    26-3 組成分析儀器 (Composition Analysis Instruments)

    第五篇 製程潔淨控制與安全

    第27章 製程潔淨控制與安全(一)
    27-1 潔淨程序 (Cleaning Procedures)
    27-2 水 (Water)
    27-3 空氣/無塵室 (Air/Clean Room)
    27-4 人員 (Personnel)
    27-5 化學藥品 (Chemicals)
    27-6 氣體 (Gases)

    第28章 製程潔淨控制與安全(二)
    28-1 高壓氣瓶 (High Pressure Cylinder)
    28-2 壓力調節器 (Pressure Regulator)
    28-3 吹淨 (Blow Up)
    28-4 洩漏偵測 (Leak Check)
    28-5 設備上應注意事項 (Equipment Check)
    28-6 廢氣之排放 (Exhaust)
    28-7 緊急時應注意事項 (Emergency)

    習題演練asnd 前言 半導體與積體電路之發展史
    0-1 半導體之緣起 (Semiconductor History)
    0-2 電晶體 (Transistor)
    0-3 積體電路 (Integrated Circuit)
    0-4 半導體製程 (Semiconductor Processes)

    第一篇 半導體材料與物理

    第1章 晶體結構與矽半導體物理特性
    1-1 原子模型與週期表 (Atomic Model and Periodic)
    1-2 晶體結構 (Crystal Structure)
    1-3 物質導電性 (Material Conductivity)
    1-4 本質矽,質量作用定律 (Intrinsic Silicon, Mass-action Law)
    1-5 摻雜質,負型和正型 (Dopant, n-type and p-type)

    第2章 半導體能帶與載子傳輸
    2-1 能帶 (Energy Band)
    2-2 電阻係數與薄片電阻 (Resistivity and Sheet Resistance)
    2-3 載子傳輸 (Carrier Transport)

    第3章 化合物半導體晶體結構與物理特性
    3-1 化合物半導體 (Compound Semiconductors)
    3-2 砷化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Arsenide)
    3-3 氮化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Nitride)
    3-4 碳化矽晶體結構與能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Silicon Carbide)
    3-5 摻雜質,負型和正型 (Dopant, n-type and p-type)
    3-6 砷化鎵、氮化鎵、碳化矽與矽比較 (Comparison of GaAs、GaN、SiC and Si)

    第二篇 半導體元件

    第4章 半導體基礎元件
    4-1 二極體 (Diode)
    4-2 雙載子電晶體 (Bipolar Transistor)
    4-3 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
    4-4 互補型金氧半場效電晶體 (CMOS,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    4-5 半導體記憶體 (Semiconductor Memory)
    4-6 電阻 (Resistor)
    4-7 電容 (Capacitor)
    4-8 電感 (Inductor)

    第5章 接面能帶圖與費米能階
    5-1 半導體狀態密度 (Density of States)
    5-2 純半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Intrinsic Semiconductor)
    5-3 摻雜半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Doped Semiconductors)
    5-4 接面能帶圖與費米能階 (Fermi Level and Junction Band Diagram)

    第6章 積體電路製程與佈局
    6-1 雙載子製程技術 (Bipolar Fabrication Technology)
    6-2 金氧半場效電晶體製程技術 (MOSFET Fabrication Technology)
    6-3 電路與積體電路 (Circuit and Integrated Circuit)
    6-4 設計原則 (Design Rules)
    6-5 佈局 (Layout)

    第7章 半導體元件縮小化與先進奈米元件
    7-1 金氧半場效電晶體之縮小化 (Scaling of MOSFET)
    7-2 短通道效應 (short-channel effects)
    7-3 SOI場效電晶體 (SOI-MOSFET)
    7-4 奈米鰭式場效電晶體 (FinFET)
    7-5 三維積體電路 (3 Dimensional IC)

    第8章 高速與高功率電晶體
    8-1 砷化鎵金半場效電晶體 (GaAs Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)
    8-2 砷化鎵高電子遷移率電晶體 (GaAs High Electron Mobility Transistor)
    8-3 氮化鎵高電子遷移率電晶體 (GaN High Electron Mobility Transistor)
    8-4 碳化矽金氧半場效電晶體 (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

    第9章 半導體光電元件
    9-1 發光二極體 (light emitting diode)
    9-2 有機發光二極體
    9-3 雷射二極體 (Laser Diode)
    9-4 光感測器 (Photodetector)
    9-5 太陽電池(Solar Cell)

    第三篇 積體電路製程與設備

    第10章 矽晶棒之生長
    10-1 原料配製 (Starting Materials)
    10-2 矽晶棒生長 (Silicon Ingot Growth)
    10-3 晶體生長時摻雜質之分佈 (Dopants Distribution in Crystal Growth)
    10-4 晶體缺陷(Crystal Defects)

    第11章 矽晶圓之製作
    11-1 晶體方向(Crystal Orientation)
    11-2 晶片方向、切割和拋光 (Orientation、Sawing and Polishing)
    11-3 十二吋晶圓效益分析(Benefit Analysis of 12 Inch wafer)

    第12章 化合物半導體晶棒生長
    12-1 砷化鎵晶棒生長 (Gallium Arsenide Ingot Growth)
    12-2 氮化鎵晶棒生長 (Gallium Nitride Ingot Growth)
    12-3 碳化矽晶棒生長 (Silicon Carbide Ingot Growth)

    第13章 矽磊晶生長
    13-1 磊晶膜(Epitaxial Layer)
    13-2 矽磊晶生長(Silicon Epiatxy)
    13-3 矽磊晶膜生長程序(Growth Process of Si Epitaxial Layer)

    第14章 矽磊晶系統
    14-1 矽磊晶系統(Si Epitaxy Systems)
    14-2 矽磊晶生長系統之評估(Evaluation of Epitaxial Systems)

    第15章 化合物半導體磊晶成長
    15-1 砷化鎵磊晶成長 (Gallium Arsenide Epitaxial Growth)
    15-2 氮化鎵磊晶生長 (Gallium Nitride Epitaxial Growth)
    15-3 碳化矽磊晶生長 (Silicon Carbide Epitaxial Growth)

    第16章 矽氧化膜生長
    16-1 熱氧化爐(Thermal Oxidation Furnace)
    16-2 矽氧化程序(Si Oxidation Process)
    16-3 乾濕氧化與膜厚(Dry and Wet Oxidation and Thickness)
    16-4 矽氧化膜厚度評估(Si Oxide Evaluation)
    16-5 熱氧化時摻雜原子之重行分佈 (Redistribution of Dopant Atoms During Thermal Oxidation)

    第17章 矽氧化膜生長機制
    17-1 二氧化矽與氧化(Silicon Dioxide and Oxidation)
    17-2 氧化機制(Oxidation Mechanism)
    17-3 超薄氧化層(Ultra-Thin Oxide)
    17-4 氧化膜品質評估(Oxide Quality Evaluation)
    17-5 氧化膜品質改進方法(Improvement of Oxide Quality)

    第18章 摻雜質之擴散植入
    18-1 擴散概念 (Concept of Diffusion)
    18-2 擴散過程 (Diffusion Process)
    18-3 擴散之分佈曲線 (Distribution of Diffusion)

    第19章 摻雜質之離子佈植
    19-1 離子佈植 (Ion Implantation)
    19-2 退火 (Annealing)
    19-3 離子佈植在CMOS積體電路製程上的應用 (Applications of Ion Implantation in CMOS IC Fabrication)
    19-4 離子佈植製程實務 (Practices of Ion Implantation)

    第20章 微影技術
    20-1 微影蝕刻術 (Lithography)
    20-2 光罩之製作 (Fabrication of Mask)
    20-3 光微影術 (Photolithography)
    20-4 解析增強微影術 (Resolution Enhancement Techniques)
    20-5 微影術之光源 (Photolithographic sources)

    第21章 蝕刻技術
    21-1 濕蝕刻 (Wet Etching)
    21-2 乾蝕刻 (Dry Etching)

    第22章 化學氣相沉積
    22-1 化學氣相沉積概念 (Introduction of CVD)
    22-2 化學氣相沉積流程 (CVD Procedures)
    22-3 低壓化學氣相沉積 (Low Pressure CVD - LPCVD)
    22-4 電漿化學氣相沉積 (Plasma CVD - PCVD)
    22-5 光照化學氣相沉積 (Photo-CVD)
    22-6 原子層沉積 (Atomic Layer Deposition)
    22-7 液相沉積法 (Liquid Phase Deposition)

    第23章 金屬接觸與沉積
    23-1 金屬化之要求 (Metallization Requirements)
    23-2 真空沉積 (Vacuum Deposition)
    23-3 沉積技術 (Deposition Techniques)
    23-4 真空沉積程序 (Vacuum Deposition Procedure)
    23-5 合金/退火 (Alloy/Annealing)
    23-6 金屬矽化物 (Silicide)
    23-7 銅製程技術 (Copper Processes)

    第24章 積體電路封裝
    24-1 積體電路封裝 (IC Package)
    24-2 封裝分類 (Package Classification)
    24-3 封裝流程 (Packaging Flow Chart)
    24-4 三維封裝 (3 Dimensional Package)

    第四篇 積體電路故障與檢測

    第25章 可靠度與功能性檢測
    25-1 可靠度基本概念 (Basic Idea of Reliability)
    25-2 可靠度檢測 (Reliability Testing)
    25-3 故障模型 (Failure Models)
    25-4 電磁干擾 (EMI)
    25-5 靜電效應 (ESD)
    25-6 電性可靠度檢測 (Electrical Reliability Testing)
    25-7 功能性檢測 (Function Testing)

    第26章 材料特性檢測
    26-1 表面形態分析儀器 (Surface Morphology Analysis Instruments)
    26-2 晶體結構分析儀器 (Crystal Structure Analysis Instruments)
    26-3 組成分析儀器 (Composition Analysis Instruments)

    第五篇 製程潔淨控制與安全

    第27章 製程潔淨控制與安全(一)
    27-1 潔淨程序 (Cleaning Procedures)
    27-2 水 (Water)
    27-3 空氣/無塵室 (Air/Clean Room)
    27-4 人員 (Personnel)
    27-5 化學藥品 (Chemicals)
    27-6 氣體 (Gases)

    第28章 製程潔淨控制與安全(二)
    28-1 高壓氣瓶 (High Pressure Cylinder)
    28-2 壓力調節器 (Pressure Regulator)
    28-3 吹淨 (Blow Up)
    28-4 洩漏偵測 (Leak Check)
    28-5 設備上應注意事項 (Equipment Check)
    28-6 廢氣之排放 (Exhaust)
    28-7 緊急時應注意事項 (Emergency)

    習題演練askw 前言 半導體與積體電路之發展史
    0-1 半導體之緣起 (Semiconductor History)
    0-2 電晶體 (Transistor)
    0-3 積體電路 (Integrated Circuit)
    0-4 半導體製程 (Semiconductor Processes)

    第一篇 半導體材料與物理

    第1章 晶體結構與矽半導體物理特性
    1-1 原子模型與週期表 (Atomic Model and Periodic)
    1-2 晶體結構 (Crystal Structure)
    1-3 物質導電性 (Material Conductivity)
    1-4 本質矽,質量作用定律 (Intrinsic Silicon, Mass-action Law)
    1-5 摻雜質,負型和正型 (Dopant, n-type and p-type)

    第2章 半導體能帶與載子傳輸
    2-1 能帶 (Energy Band)
    2-2 電阻係數與薄片電阻 (Resistivity and Sheet Resistance)
    2-3 載子傳輸 (Carrier Transport)

    第3章 化合物半導體晶體結構與物理特性
    3-1 化合物半導體 (Compound Semiconductors)
    3-2 砷化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Arsenide)
    3-3 氮化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Nitride)
    3-4 碳化矽晶體結構與能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Silicon Carbide)
    3-5 摻雜質,負型和正型 (Dopant, n-type and p-type)
    3-6 砷化鎵、氮化鎵、碳化矽與矽比較 (Comparison of GaAs、GaN、SiC and Si)

    第二篇 半導體元件

    第4章 半導體基礎元件
    4-1 二極體 (Diode)
    4-2 雙載子電晶體 (Bipolar Transistor)
    4-3 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
    4-4 互補型金氧半場效電晶體 (CMOS,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    4-5 半導體記憶體 (Semiconductor Memory)
    4-6 電阻 (Resistor)
    4-7 電容 (Capacitor)
    4-8 電感 (Inductor)

    第5章 接面能帶圖與費米能階
    5-1 半導體狀態密度 (Density of States)
    5-2 純半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Intrinsic Semiconductor)
    5-3 摻雜半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Doped Semiconductors)
    5-4 接面能帶圖與費米能階 (Fermi Level and Junction Band Diagram)

    第6章 積體電路製程與佈局
    6-1 雙載子製程技術 (Bipolar Fabrication Technology)
    6-2 金氧半場效電晶體製程技術 (MOSFET Fabrication Technology)
    6-3 電路與積體電路 (Circuit and Integrated Circuit)
    6-4 設計原則 (Design Rules)
    6-5 佈局 (Layout)

    第7章 半導體元件縮小化與先進奈米元件
    7-1 金氧半場效電晶體之縮小化 (Scaling of MOSFET)
    7-2 短通道效應 (short-channel effects)
    7-3 SOI場效電晶體 (SOI-MOSFET)
    7-4 奈米鰭式場效電晶體 (FinFET)
    7-5 三維積體電路 (3 Dimensional IC)

    第8章 高速與高功率電晶體
    8-1 砷化鎵金半場效電晶體 (GaAs Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)
    8-2 砷化鎵高電子遷移率電晶體 (GaAs High Electron Mobility Transistor)
    8-3 氮化鎵高電子遷移率電晶體 (GaN High Electron Mobility Transistor)
    8-4 碳化矽金氧半場效電晶體 (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

    第9章 半導體光電元件
    9-1 發光二極體 (light emitting diode)
    9-2 有機發光二極體
    9-3 雷射二極體 (Laser Diode)
    9-4 光感測器 (Photodetector)
    9-5 太陽電池(Solar Cell)

    第三篇 積體電路製程與設備

    第10章 矽晶棒之生長
    10-1 原料配製 (Starting Materials)
    10-2 矽晶棒生長 (Silicon Ingot Growth)
    10-3 晶體生長時摻雜質之分佈 (Dopants Distribution in Crystal Growth)
    10-4 晶體缺陷(Crystal Defects)

    第11章 矽晶圓之製作
    11-1 晶體方向(Crystal Orientation)
    11-2 晶片方向、切割和拋光 (Orientation、Sawing and Polishing)
    11-3 十二吋晶圓效益分析(Benefit Analysis of 12 Inch wafer)

    第12章 化合物半導體晶棒生長
    12-1 砷化鎵晶棒生長 (Gallium Arsenide Ingot Growth)
    12-2 氮化鎵晶棒生長 (Gallium Nitride Ingot Growth)
    12-3 碳化矽晶棒生長 (Silicon Carbide Ingot Growth)

    第13章 矽磊晶生長
    13-1 磊晶膜(Epitaxial Layer)
    13-2 矽磊晶生長(Silicon Epiatxy)
    13-3 矽磊晶膜生長程序(Growth Process of Si Epitaxial Layer)

    第14章 矽磊晶系統
    14-1 矽磊晶系統(Si Epitaxy Systems)
    14-2 矽磊晶生長系統之評估(Evaluation of Epitaxial Systems)

    第15章 化合物半導體磊晶成長
    15-1 砷化鎵磊晶成長 (Gallium Arsenide Epitaxial Growth)
    15-2 氮化鎵磊晶生長 (Gallium Nitride Epitaxial Growth)
    15-3 碳化矽磊晶生長 (Silicon Carbide Epitaxial Growth)

    第16章 矽氧化膜生長
    16-1 熱氧化爐(Thermal Oxidation Furnace)
    16-2 矽氧化程序(Si Oxidation Process)
    16-3 乾濕氧化與膜厚(Dry and Wet Oxidation and Thickness)
    16-4 矽氧化膜厚度評估(Si Oxide Evaluation)
    16-5 熱氧化時摻雜原子之重行分佈 (Redistribution of Dopant Atoms During Thermal Oxidation)

    第17章 矽氧化膜生長機制
    17-1 二氧化矽與氧化(Silicon Dioxide and Oxidation)
    17-2 氧化機制(Oxidation Mechanism)
    17-3 超薄氧化層(Ultra-Thin Oxide)
    17-4 氧化膜品質評估(Oxide Quality Evaluation)
    17-5 氧化膜品質改進方法(Improvement of Oxide Quality)

    第18章 摻雜質之擴散植入
    18-1 擴散概念 (Concept of Diffusion)
    18-2 擴散過程 (Diffusion Process)
    18-3 擴散之分佈曲線 (Distribution of Diffusion)

    第19章 摻雜質之離子佈植
    19-1 離子佈植 (Ion Implantation)
    19-2 退火 (Annealing)
    19-3 離子佈植在CMOS積體電路製程上的應用 (Applications of Ion Implantation in CMOS IC Fabrication)
    19-4 離子佈植製程實務 (Practices of Ion Implantation)

    第20章 微影技術
    20-1 微影蝕刻術 (Lithography)
    20-2 光罩之製作 (Fabrication of Mask)
    20-3 光微影術 (Photolithography)
    20-4 解析增強微影術 (Resolution Enhancement Techniques)
    20-5 微影術之光源 (Photolithographic sources)

    第21章 蝕刻技術
    21-1 濕蝕刻 (Wet Etching)
    21-2 乾蝕刻 (Dry Etching)

    第22章 化學氣相沉積
    22-1 化學氣相沉積概念 (Introduction of CVD)
    22-2 化學氣相沉積流程 (CVD Procedures)
    22-3 低壓化學氣相沉積 (Low Pressure CVD - LPCVD)
    22-4 電漿化學氣相沉積 (Plasma CVD - PCVD)
    22-5 光照化學氣相沉積 (Photo-CVD)
    22-6 原子層沉積 (Atomic Layer Deposition)
    22-7 液相沉積法 (Liquid Phase Deposition)

    第23章 金屬接觸與沉積
    23-1 金屬化之要求 (Metallization Requirements)
    23-2 真空沉積 (Vacuum Deposition)
    23-3 沉積技術 (Deposition Techniques)
    23-4 真空沉積程序 (Vacuum Deposition Procedure)
    23-5 合金/退火 (Alloy/Annealing)
    23-6 金屬矽化物 (Silicide)
    23-7 銅製程技術 (Copper Processes)

    第24章 積體電路封裝
    24-1 積體電路封裝 (IC Package)
    24-2 封裝分類 (Package Classification)
    24-3 封裝流程 (Packaging Flow Chart)
    24-4 三維封裝 (3 Dimensional Package)

    第四篇 積體電路故障與檢測

    第25章 可靠度與功能性檢測
    25-1 可靠度基本概念 (Basic Idea of Reliability)
    25-2 可靠度檢測 (Reliability Testing)
    25-3 故障模型 (Failure Models)
    25-4 電磁干擾 (EMI)
    25-5 靜電效應 (ESD)
    25-6 電性可靠度檢測 (Electrical Reliability Testing)
    25-7 功能性檢測 (Function Testing)

    第26章 材料特性檢測
    26-1 表面形態分析儀器 (Surface Morphology Analysis Instruments)
    26-2 晶體結構分析儀器 (Crystal Structure Analysis Instruments)
    26-3 組成分析儀器 (Composition Analysis Instruments)

    第五篇 製程潔淨控制與安全

    第27章 製程潔淨控制與安全(一)
    27-1 潔淨程序 (Cleaning Procedures)
    27-2 水 (Water)
    27-3 空氣/無塵室 (Air/Clean Room)
    27-4 人員 (Personnel)
    27-5 化學藥品 (Chemicals)
    27-6 氣體 (Gases)

    第28章 製程潔淨控制與安全(二)
    28-1 高壓氣瓶 (High Pressure Cylinder)
    28-2 壓力調節器 (Pressure Regulator)
    28-3 吹淨 (Blow Up)
    28-4 洩漏偵測 (Leak Check)
    28-5 設備上應注意事項 (Equipment Check)
    28-6 廢氣之排放 (Exhaust)
    28-7 緊急時應注意事項 (Emergency)

    習題演練
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    Released
    2023/08/15
    Language
    Traditional Chinese
    File format
    PDF: Fit in large screen
    Provide Adobe DRM
    Provide PDF
    Offer DRM free license
    No
    ID
    384745
    ISBN
    9786263286733
    Released
    2023/06/09
    Language
    Traditional Chinese
    Pages
    408
    ID
    518139
    ISBN
    9786263284579

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